EFFECTING SELECTIVITY OF SILICON OR SILICON-GERMANIUM DEPOSITION ON A SILICON OR SILICON-GERMANIUM SUBSTRATE BY DOPING

The invention relates to a method for selective deposition of Si or SiGe on a Si or SiGe surface. The method exploits differences in physico-chemical surface behaviour according to a difference in doping of first and second surface regions. By providing at least one first surface region with a Boron doping of a suitable concentration range and exposing the substrate surface to a cleaning and passivating ambient atmosphere in a prebake step at a temperature lower or equal than 800 °C, a subsequent deposition step of Si or SiGe will not lead to a layer deposition in the first surface region. This effect is used for selective deposition of Si or SiGe in the second surface region, which is not doped with Boron in the suitable concentration range, or doped with another dopant, or not doped. The method thus saves a usual photolithography sequence required for selective deposition of Si or SiGe in the second surface region according to the prior art. L'invention porte sur un procédé pour le dépôt sélectif de Si ou SiGe sur une surface de Si ou SiGe. Le procédé utilise des différences dans le comportement de surface physico-chimique conformément à une différence de dopage des première et seconde régions de surface. En appliquant à au moins une première région de surface un dopage de bore selon une plage de concentration appropriée et en exposant la surface du substrat à une atmosphère ambiante de nettoyage et de passivation lors d'une étape de précuisson à une température inférieure ou égale à 800°C, une étape de dépôt subséquente de Si ou SiGe ne conduira pas à un dépôt de couche dans la première région de surface. Cet effet est utilisé pour le dépôt sélectif de Si ou SiGe dans la seconde région de surface, qui n'est pas dopée par du bore selon la plage de concentration appropriée, ou qui est dopée avec un autre dopant, ou qui n'est pas dopée. Le procédé économise ainsi une séquence de photolithographie courante nécessaire pour le dépôt sélectif de Si ou SiGe dans la seconde région de surface conformément à l'état antérieur de la technique.