REAL TIME LEAK DETECTION SYSTEM OF PROCESS CHAMBER
Provided is a technology for detecting a leak of a process chamber in real time generated from a semiconductor substrate manufacturing process using an apparatus using plasma in a vacuum state. The real time leak detection system of a process chamber can detect a leak through end point detection (EP...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Provided is a technology for detecting a leak of a process chamber in real time generated from a semiconductor substrate manufacturing process using an apparatus using plasma in a vacuum state. The real time leak detection system of a process chamber can detect a leak through end point detection (EPD) whether spectrums of nitrogen, oxygen, argon, and so on, are generated in a plasma spectrum as external air is injected into the process chamber due to the leak, and de¬ termining occurrence of the leak from the process chamber through a helium leak detector on the basis of the detection signal, without shutdown of equipment. Therefore, when the leak occurs from the process chamber, its detection time can be reduced to improve productivity. In addition, cracks in the process chamber used in a high temperature HDP CVD process can be readily checked to prevent damage to the process chamber and accidents due to the damage.
La présente invention concerne une technologie de détection d'une fuite d'une enceinte de traitement en temps réel générée à partir d'un procédé de fabrication de substrats semi-conducteurs au moyen d'un appareil utilisant du plasma sous vide. Le système de détection de fuites en temps réel d'une enceinte de traitement peut détecter une fuite à travers un point de détection terminal si des spectres d'azote, d'oxygène, d'argon, et analogues, sont générés dans un spectre de plasma lors d'injection d'air extérieur dans l'enceinte de traitement due à la fuite, et déterminer la présence de la fuite depuis l'enceinte de traitement à travers un détecteur de fuite d'hélium en fonction du signal de détection, sans arrêt de l'équipement. Par conséquent, lorsqu'une fuite se produit depuis l'enceinte de traitement, son temps de détection peut être réduit pour améliorer la productivité. En outre, des fissures dans l'enceinte de traitement utilisée dans des procédés de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma de haute densité à des températures élevées peuvent être contrôlées pour prévenir l'endommagement de l'enceinte de traitement et d'accidents entraînés par l'endommagement. |
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