IC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE OF IC SUBSTRATE

An integrated circuit (IC) substrate (32) comprising a germanium layer (26), an aluminium oxide layer (22), and an interfacial layer (28) provided on the germanium layer between the germanium layer and the aluminium oxide layer, which interfacial layer provides control of electrical properties at an interface between the germanium layer and the interfacial layer. The electrical properties may comprise charge carrier trap density, and the interfacial layer may provide control of the charge carrier trap density to minimise the trap density. The interfacial layer is used to ensure an intimate, high-quality germanium layer - interfacial layer interface. A method manufacturing an IC substrate is also provided, along with a gallium arsenide circuit integrated in a system-on-chip (SOC) comprising an IC substrate, and a germanium electronic circuit in combination with a gallium arsenide circuit, integrated in a system-on-chip- (SOC), comprising an IC substrate. La présente invention concerne un substrat (2) de circuit imprimé (IC) comportant une couche de germanium (26), une couche d'oxyde d'aluminium (22), et une couche d'interface (28) prévue sur la couche de germanium entre la couche de germanium et la couche d'oxyde d'aluminium, ladite couche d'interface assurant la commande des propriétés électriques au niveau d'une interface entre la couche de germanium et la couche d'interface. Les propriétés électriques peuvent comprendre une densité de capture de porteurs de charge, et la couche d'interface peut assurer la commande de la densité de capture de porteurs de charge. La couche d'interface sert à assurer une interface intime de couche d'interface/couche de germanium de grande qualité. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un substrat de circuit intégré, conjointement avec un circuit d'intégré à base d'arséniure de gallium dans un système sur puce (SOC) comportant un substrat de circuit intégré, et un circuit électronique à base de germanium en combinaison avec un circuit à base d'arséniure de gallium, intégré dans un système sur puce (SOC), comprenant un substrat de circuit intégré.