CMOS INTEGRATED PROCESS FOR FABRICATING MONOCRYSTALLINE SILICON MICROMECHANICAL ELEMENTS BY POROUS SILICON MICROMACHINING AND SENSOR CHIP COMPRISING SUCH ELEMENT

The invention relates to a process for fabricating a monocrystalline silicon micromechanical element integrated with a CMOS circuit element within the CMOS technology. A portion of the surface layer of a monocrystalline substrate is selectively doped and a CMOS circuit element is fabricated within the substrate through the known steps of CMOS technology. Then, parts of the substrate underlying the selectively doped portion are etched porous through an exposed portion of the surface. Thereby, a buried sacrificial layer is formed. As a next step, metallic contact pieces of the circuit element through the known steps of CMOS technology are formed. Finally, the micromechanical element is formed by chemically dissolving said porous Si sacrificial layer. L'invention porte sur un processus de fabrication d'élément micromécanique au Si monocristallin intégré à un élément de circuit CMOS dans la technologie CMOS, caractérisé en ce qu'un domaine de seconde propriété conductrice est formé dans un substrat de première propriété conductrice, la seconde propriété conductrice étant l'inverse de la première propriété conductrice, puis simultanément ou immédiatement après cette opération un domaine de Si monocristallin est formé dans le substrat pour fabriquer un élément micromécanique. Après cela, un élément de circuit CMOS est fabriqué dans le substrat par le biais des étapes connues de la technologie CMOS puis l'élément de circuit, de même qu'une partie dudit domaine de fabrication de l'élément micromécanique qui portera l'élément micromécanique après sa fabrication sont recouverts d'une couche de protection. Puis, le commencement d'une étape de gravure au Si, poreuse, isotrope de la face avant depuis la surface exposée dudit domaine pour la fabrication de l'élément micromécanique et la continuation de cette étape de gravure jusqu'à ce que ladite partie qui portera l'élément micromécanique après sa fabrication devienne au moins sous-gravée dans son intégralité, permettent de créer une couche sacrificielle au Si poreuse, celle-ci renfermant au moins partiellement ladite partie qui portera l'élément micromécanique après sa fabrication. Lors de l'étape suivante, la surface exposée de ladite couche sacrificielle au Si, poreuse est passivée par application d'un mince film métallique sur celle-ci et des pièces de contact métalliques de l'élément de circuit sont formées par l'intermédiaire des phases connues de la technologie CMOS. Enfin, le mince film métallique qui recouvre