WAFER LEVEL SEMICONDUCTOR CHIP PACKAGES AND METHODS OF MAKING THE SAME

A wafer (20) having a front surface and contacts (28) exposed at the front surface is treated by forming electrically conductive risers (30) projecting upwardly from the contacts as, for example, by electroless plating, and then applying a flowable material over the front surface of the device, around the risers, to form a dielectric layer (36) with the risers exposed at a top surface (38) of the dielectric layer facing away from the device. Traces (42). extending over the top surface of the dielectric layer may be formed, and may be connected to at least some of the risers. Une tranche (20) comprenant une surface avant et des contacts (28) à nu au niveau de la surface avant est traitée par formation de conducteurs verticaux (30) faisant saillie vers le haut à partir des contacts, notamment par dépôt autocatalytique, puis par application d'une matière fluide sur la surface avant du dispositif, autour des conducteurs, en vue de la formation d'une couche diélectrique (36), les conducteurs étant à nu au niveau d'une surface supérieure (38) de la couche diélectrique tournée vers l'extérieur du dispositif. Des impressions conductrices (42) s'étendant sur la surface supérieure de la couche diélectrique peuvent être formées et connectées à certains au moins desdits conducteurs.