INTEGRATED CIRCUIT, DEVICE, SYSTEM, AND METHOD OF FABRICATION

A semiconductor device (10), comprising a first semiconductor portion (32) having a first end (34), a second end (36), and a slit portion (30), wherein the width of the slit portion (30) is less than the width of at least one of the first end (34) and the second end (36); a second portion (38) that is a different material than the first semiconductor portion (32), a third portion (40) that is a different material than the first semiconductor portion (32), wherein the second (38) and third (40) portions are on opposite sides of the slit portion (30), and at least three terminals selected from a group consisting of a first terminal (12) connected to the first end (34), a second terminal (14) connected to the second end (36), a third terminal (16) connected to the second portion (38), and a fourth terminal (17) connected to the third portion (40). Dispositif semi-conducteur (10) comprenant : une première portion à semi-conducteur (32) présentant une première extrémité (34), une seconde extrémité (36) et une portion à fentes (30), la largeur de la portion à fentes (30) étant inférieure à la largeur de la première extrémité (34) et/ou de la deuxième extrémité (36); une deuxième portion (38) qui est en un matériau différent de la première portion à semi-conducteur (32), une troisième portion (40) qui est en un matériau différent de la première portion à semi-conducteur (32), la deuxième (38) et la troisième (40) portions étant sur des faces opposées de la portion à fentes (30), et au moins trois terminaux sélectionnés à partir d'un groupe comprenant une première borne(12) connectée à la première extrémité, une deuxième borne (14) connectée à la deuxième extrémité (36), une troisième borne (16) connectée à la deuxième portion (38), et une quatrième borne (17) connectée à la troisième portion (40).