METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF LARGE SIZE WAFER WITH CAPABILITY OF POLISHING INDIVIDUAL DIE

A novel polisher for chemical mechanical planarization process is described. The polisher design can have many variations. For process development and consumable evaluation, the CMP process can be performed on a single die or a section of the wafer. The siz of testing wafer can be as small as 2"...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LI, YUZHUO, QIN, QINGJUN, BURKHARD, CRAIG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS GRINDING INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING METALLURGY MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE PERFORMING OPERATIONS POLISHING SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A novel polisher for chemical mechanical planarization process is described. The polisher design can have many variations. For process development and consumable evaluation, the CMP process can be performed on a single die or a section of the wafer. The siz of testing wafer can be as small as 2" and as large as 18". Furthermore, several variations can characterize the slurry for their static etc rate, dynamic etch rate, material removal rate, and viscosity in a single experiment. For production level wafer processing, Chemical Mechanical Polishing of all dies on the wafer surface is achieved by using multi-armed polishing heads or a single polishing head (1) with small piece of a pad at the bottom of the head. The within wafer uniformity can be easily controlled and the equipment can be easily scaled up or down. This inventive design may translate to significant cost reduction for wafer processing at production level as well as evaluation of consumables at research and development level. L'invention porte sur une nouvelle machine à polir pour procédé chimicomécanique de planarisation dont il existe plusieurs variantes. A des fins de développement de processus et d'évaluation des produits consommables le polissage chimicomécanique (CMP) peut s'exécuter sur une tranche ou sur une partie de tranche. La taille des tranches peut aller de 2" à 18". On peut faire varier les caractéristiques du coulis au cours d'une même expérience, par exemple du point de vue des vitesses d'attaque statiques, dynamiques ou d'élimination du matériau, ainsi que de la viscosité. Dans le traitement des tranches à l'échelle production, le CMP des différentes puces de la tranche peut se faire au moyen de têtes à plusieurs bras ou d'une tête à un seul bras muni d'un tampon de petite taille. On peut aisément contrôler l'uniformité à l'intérieur d'une tranche, et l'équipement peut facilement être changé d'échelle. Cette conception peut amener d'importantes réductions des coûts de traitement des tranches au niveau de la production tout en permettant d'évaluer les produits consommables au niveau de la recherche et du développement.