SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TEMPERATURE DETERMINATION

The invention provides a method and a device for determining the temperature of a semiconductor substrate. A resonance circuit (110) is provided on the semiconductor substrate and is formed by a junction capacitor (11) and an inductor (12). The substrate is placed on a holder and the resonance circuit (110) is irradiated with electromagnetic energy of an electromagnetic field (5) generated by a radiation device (200). A resonance frequency of the resonance circuit (110) is determined by detecting an effect of the resonance circuit (110) on the irradiated electromagnetic field (5), and a temperature of the semiconductor substrate is determined as a function of the resonance frequency. The method and device according to the invention provide for a more accurate determination of the temperature of the semiconductor substrate due to an increased sensitivity to the temperature of the junction capacitor (11). La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant de déterminer la température d'un substrat SEMI-CONDUCTEUR. Un circuit résonant (110) est placé sur le substrat SEMI-CONDUCTEUR et il est formé par un condensateur de jonction (11) et par un inducteur (12). Le substrat est placé sur un support, puis le circuit résonant (110) est soumis au rayonnement d'une énergie électromagnétique d'un champ électromagnétique (5) provenant d'un appareil à rayonnement (200). Une fréquence de résonance du circuit résonant (110) est déterminée par détection d'un effet du circuit résonant (110) sur le champ électromagnétique dégagé (5), et une température du substrat SEMI-CONDUCTEUR est déterminée d'après la fréquence de résonance. Le procédé et le dispositif décrits dans cette invention permettent de déterminer plus précisément la température du substrat semi-conducteur grâce à une augmentation de la sensibilité à la température du condensateur de jonction (11).