VERTICAL HALL SENSOR ELEMENT

Das erfindungsgemäße vertikale Hall-Sensorelement (100), umfasst ein Halbleitersubstrat (102), einen Halbleiterbereich (104) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei sich der Halbleiterbereich (104) von einer Hauptoberfläche (102a) des Halbleiter-Substrats (102) in das Substrat (102) erstreckt, eine Mehrzahl von Kontaktbereichen (106a-e) an der Hauptoberfläche (102a) in dem Halbleiterbereich (104), und eine Mehrzahl von nicht-leitenden Barrierenbereichen (108a-d), die sich ausgehend von der Hauptoberfläche (102a) in den Halbleiterbereich (104) erstrecken, wobei zwischen benachbarten Kontaktbereichen einer der nicht-leitenden Barrierenbereichen angeordnet ist, und wobei die nicht-leitenden Barrierenbereiche (108a-d) ausgebildet sind, um einen zwischen zwei Kontaktbereichen in dem Halbleiterbereich (104) eingespeisten Betriebsstrom IH entfernt von der Hauptoberfläche (102a) zu halten. Disclosed is a vertical Hall sensor element (100) comprising a semiconductor substrate (102), a semiconductor area (104) that has a first type of conductivity and extends from a main surface (102a) of the semiconductor substrate (102) into the substrate (102), a plurality of contact areas (106a to e) on the main surface (102a) in the semiconductor area (104), and a plurality of non-conducting barrier areas (108a to d) which extend from the main surface (102a) into the semiconductor area (104), one of the non-conducting barrier areas being disposed between adjacent contact areas. The non-conducting barrier areas (108a to d) are configured so as to keep an operating current IH that is fed between two contact areas in the semiconductor area (104) away from the main surface (102a). L'invention concerne un élément détecteur Hall vertical (100) comprenant un substrat semi-conducteur (102), une zone semi-conductrice (104) d'un premier type de conductivité, ladite zone semi-conductrice (104) s'étendant d'une surface principale (102a) du substrat semi-conducteur (102), dans le substrat (102), une pluralité de zones de contact (106a-e) sur la surface principale (102a) dans la zone semi-conductrice (104), et une pluralité de zones barrières non conductrices (108a-d) qui s'étendent à partir de la surface principale (102a) dans la zone semi-conductrice (104), caractérisé en ce que l'une des zones barrières non conductrices est disposée entre des zones de contact adjacentes, et en ce que les zones barrières non conductrices (108a-d) sont formées de manière à maintenir un courant de fonction