SEMICONDUCTOR DEVICE IDENTIFIER GENERATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

A method (100) is disclosed of generating an identifier from a semiconductor device (600) comprising a volatile memory (610) having a plurality of memory cells. The method comprises causing (110) the memory cells to assume a plurality of pseudo-random bit values inherent to variations in the microstructure of the memory cells; retrieving (120) the bit values from at least a subset of the plurality of memory cells; and generating the identifier from the retrieved bit values. The method (100) is based on the realization that a substantial amount of the cells of a volatile memory can assume a bit value that is governed by underlying variations in manufacturing process parameters; this for instance occurs at power-up for an SRAM or after a time period without refresh for a DRAM. This can be used for several identification purposes, such as identifying a semiconductor device (600) comprising the volatile memory (610), or for secure key generation by mapping error- correcting code words onto the identifier bit locations. The present invention further includes a semiconductor device (600, 1000) configured to be subjectable to the method (100) of the present invention. L'invention concerne un procédé (100) consistant à générer un identificateur à partir d'un composant à semiconducteur (600) comprenant une mémoire volatile (610) comportant une pluralité de cellules mémoires. Le procédé comprend le fait d'amener (110) les cellules mémoires à adopter une pluralité de valeurs binaires pseudo aléatoires inhérentes à des variations dans la microstructure des cellules mémoires, de récupérer (120) les valeurs binaires à partir d'au moins un sous-ensemble de la pluralité des cellules mémoires et de générer l'identificateur à partir des valeurs binaires récupérées. Le procédé (100) est fondé sur la prise de conscience de ce qu'une quantité substantielle des cellules d'une mémoire volatile peut adopter une valeur binaire qui est déterminée par des variations sous-jacentes des paramètres du procédé de fabrication; ceci, par exemple, se produit à la mise sous tension pour une mémoire SRAM ou après un intervalle de temps sans rafraîchissement pour une mémoire DRAM. Ceci peut être utilisé à plusieurs fins d'identification, telles que l'identification d'un composant à semiconducteur (600) comprenant la mémoire volatile (610), ou bien pour la génération de clés sécurisées par mise en concordance des mots de codes de correction d'erreur sur les emplacements des bits de l'identifica