MEMORY ARRAY WITH READOUT ISOLATION

Methods and apparatus for measuring the bit state of a particular element in an array of passive nonlinear elements that are insensitive to loading effects from external connections to the array, using, e.g., a switching element. Methods and apparatus for differentially measuring the bit state of a particular element in an array of passive nonlinear elements against the output of a reference generator, for example, a dummy row circuit, a dummy column circuit, or both a dummy row circuit and a dummy column circuit. Methods and apparatus for providing an array of passive nonlinear elements having an interface circuit that isolates the array from loading effects from external connections to the array, such as a capacitive switching circuit. L'invention concerne des méthodes et appareils permettant de mesurer l'état du bit d'un élément particulier d'une matrice d'éléments non linéaires passifs qui sont insensibles aux effets des chargements de données réalisés à partir de connexions extérieures sur la matrice, en utilisant par exemple un élément de commutation. L'invention concerne également des méthodes et appareils permettant d'effectuer une mesure différentielle de l'état du bit d'un élément particulier d'une matrice d'éléments non linéaires passifs en le comparant à la sortie d'un générateur de référence qui peut être, par exemple, un circuit de ligne fictive, un circuit de colonne fictive ou une combinaison d'un circuit de ligne fictive et d'un circuit de colonne fictive. L'invention concerne en outre des méthodes et appareils permettant d'obtenir une matrice d'éléments non linéaires passifs possédant un circuit d'interface qui isole la matrice des effets des chargements de données effectués à partir de connexions externes sur la matrice, comme par exemple un circuit de commutation capacitif.