PLASMA TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SURFACE FOR ENHANCED NUCLEATION OF A METAL-CONTAINING LAYER

A method for forming a dielectric layer is provided. The method may include providing a semiconductor surface and etching a thin layer of the semiconductor substrate (10) to expose a surface (16) of the semiconductor surface, wherein the exposed surface (16) is hydrophobic. The method may further include treating the exposed surface (16) of the semiconductor substrate (10) with plasma to neutralize a hydrophobicity associated with the exposed surface, wherein the exposed surface is treated using plasma with a power in a range of 100 watts to 500 watts and for duration in a range of 1 to 60 seconds. The method may further include forming a metal-containing layer (30) on a top surface of the plasma treated surface using an atomic layer deposition process. La présente invention concerne un procédé de formation de couche diélectrique. Ledit procédé peut inclure l'étape consistant à fournir une surface semiconductrice et à attaquer chimiquement une couche mince du substrat semiconducteur (10) afin d'exposer une surface (16) de la surface semiconductrice, la surface exposée (16) étant hydrophobe. Le procédé peut également comprendre l'étape consistant à traiter au plasma la surface exposée (16) du substrat semiconducteur (10) en vue de neutraliser une hydrophobicité associée à la surface exposée, la surface exposée étant traitée avec un plasma d'une puissance comprise entre 100 watts et 500 watts et pour une durée comprise entre 1 et 60 secondes. Le procédé peut en outre comprendre l'étape consistant à former une couche contenant du métal (30) sur une surface supérieure de la surface traitée au plasma à l'aide d'un procédé de dépôt de couches atomiques.