SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

A semiconductor device comprising semiconductor substrate (10); bit line (12) disposed therein; disposed in the bit line (12), silicide layer (22) having its side faces and bottom face surrounded by the bit line (12); ONO film (20) disposed on top of the semiconductor substrate (10); and side walls (24) with phosphorated silicon oxide film, disposed on the bit line (12) on both sides of the silicide layer (22), the side walls (24) disposed in contact with a side face of trap layer (16) within the ONO film (20). Further, there is provided a process for producing the semiconductor device. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant un substrat à semi-conducteurs (10), une ligne de bits (12) disposée à l'intérieur, une couche de siliciure (22) dans la ligne de bits (12) ayant ses faces latérales et sa face inférieure entourées par la ligne de bits (12), un film ONO (20) disposé sur le substrat à semi-conducteurs (10) ainsi que des parois latérales (24) avec un film d'oxyde de silicium phosphoré, disposé sur la ligne de bits (12) des deux côtés de la couche de siliciure (22), des parois latérales (24) disposées au contact d'une face latérale de la couche de piège (16) dans le film ONO (20). L'invention concerne également un procédé pour produire le dispositif à semi-conducteurs.