SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Structures, methods, devices, and systems are provided, including shallow trench isolation structures. In particular, a semiconductor device including a substrate and a shallow trench isolation structure on the substrate. The shallow trench isolation structure includes a first isolation trench portion and a second isolation trench portion. The first isolation trench portion has a first sidewall that is perpendicular or nearly perpendicular to the surface of the substrate, while the second isolation trench portion has a second sidewall that is angled obliquely with respect to the surface of the substrate. The second isolation trench portion is formed such that it has a smaller volume than the first isolation trench portion. La présente invention concerne des structures, des procédés et des dispositifs comportant des structures d'isolation à tranchées peu profondes. Elle concerne en particulier un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat et une structure d'isolation de tranchée peu profonde sur le substrat. La structure d'isolation de tranchée peu profonde comprend une première partie de tranchée d'isolation et une seconde partie de tranchée d'isolation. La première partie de tranchée d'isolation comporte une première paroi latérale qui est perpendiculaire ou presque perpendiculaire à la surface du substrat, tandis que la seconde partie de tranchée d'isolation comporte une seconde paroi qui forme un angle oblique par rapport à la surface du substrat. La seconde partie de tranchée d'isolation est constituée de telle sorte que son volume est inférieur à celui de la première partie de tranchée d'isolation.