METHOD FOR FABRICATING LAST LEVEL COPPER-TO-C4 CONNECTION WITH INTERFACIAL CAP STRUCTURE

The present invention relates to a method for fabricating a semiconductor device with a last level copper-to-C4 connection that is essentially free of aluminum. Specifically, the last level copper-to-C4 connection comprises an interfacial cap structure (30) containing CoWP, NiMoP, NiMoB, NiReP, NiWP, and combinations thereof. Preferably, the interfacial cap structure comprises at least one CoWP layer. Such a CoWP layer can be readily formed over a last level copper interconnect (22) by a selective electroless plating process. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs avec une connexion de dernier niveau cuivre-C4 qui est essentiellement exempte d'aluminium. Plus précisément, la connexion de dernier niveau cuivre-C4 comprend une structure de bouchon interfaciale (30) contenant du CoWP, du NiMoP, du NiMoB, du NiReP, du NiWP et des combinaisons de ceux-ci. De préférence, la structure de bouchon interfaciale comprend au moins une couche de CoWP. Ladite couche peut être facilement formée sur une interconnexion de cuivre de dernier niveau (22) par un processus de dépôt autocatalytique sélectif.