HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) WITH REFRACTORY GATE METAL

An InP high electron mobility transistor (HEMT) structure in which a gate metal stack includes an additional thin layer of a refractory metal, such as molybdenum (Mo) or platinum (Pt) at a junction between the gate metal stack and a Schottky barrier layer in the HEMT structure. The refractory metal layer reduces or eliminates long-term degradation of the Schottky junction between the gate metal and the barrier layer, thereby dramatically improving long-term reliability of InP HEMTs, but without sacrifice in HEMT performance, whether used as a discrete device or in an integrated circuit. On décrit une structure de transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) au InP, dans laquelle un empilement métallique de grille comprend une couche mince supplémentaire d'un métal réfractaire, tel que le molybdène (Mo) ou le platine (Pt), au niveau d'une jonction entre l'empilement métallique de grille et une couche barrière de Schottky, dans la structure HEMT. La couche de métal réfractaire réduit ou élimine une dégradation à long terme de la jonction Schottky entre le métal de grille et la couche barrière, ce qui améliore radicalement la fiabilité à long terme des HEMT au InP, sans nuire aux performances du HEMT, que celui-ci soit utilisé comme dispositif discret ou dans un circuit intégré.