MOS TRANSISTOR AND A METHOD OF MANUFACTURING A MOS TRANSISTOR

The MOS transistor (1) of the invention comprises a gate electrode (10), a channel region (4), a drain contact region (6) and a drain extension region (7) mutually connecting the channel region (4) and the drain contact region (6). The MOS transistor (1) further comprises a shield layer (11) which extends over the drain extension region (7) wherein the distance between the shield layer (11) and the drain extension region (7) increases in a direction from the gate electrode (10) towards the drain contact region (6). In this way the lateral breakdown voltage of the MOS transistor (1) is increased to a level at which the MOS transistor (1) may fulfill the ruggedness requirement for broadcast applications for a supply voltage higher than that used in base station applications. Le transistor MOS (1) de l'invention comprend une électrode de grille (10), une zone de canal (4), une zone de contact de drain (6) et une zone d'extension de drain (7) reliant mutuellement la zone de canal (4) et la zone de contact de drain (6). Le transistor MOS (1) comprend en outre une couche de blindage (11) qui s'étend par-dessus la zone d'extension de drain (7), la distance entre la couche de blindage (11) et la zone d'extension de drain (7) augmentant dans un sens depuis de l'électrode de grille (10) vers la zone de contact de drain (6). De cette manière, la tension latérale de claquage du transistor MOS (1) est augmentée jusqu'à un niveau pour lequel le transistor MOS (1) peut satisfaire à l'exigence de robustesse pour des applications de radiodiffusion pour une tension d'alimentation supérieure à celle utilisée dans des applications de stations de base.