MOS TRANSISTOR WITH BETTER SHORT CHANNEL EFFECT CONTROL AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

The integrated circuit comprises at least one MOS transistor (T) including a gate (GR) having a bottom part in contact with the gate oxide. Said bottom part has an inhomogeneous work function (WFB, WFA) along the length of the gate between the source and drain regions, the value of the work function being greater at the extremities of the gate than in the centre of the gate. The gate comprises a first material (A) in the centre and a second material (B) in the remaining part. Such configuration is obtained for example by silicidation. Le circuit intégré selon l'invention comprend au moins un transistor MOS(T) comprenant une gâchette (GR) comportant une partie inférieure en contact avec l'oxyde de gâchette. Ladite partie inférieure présente un travail d'extraction (WFB, WFA) non homogène sur la longueur de la gâchette entre les zones de source et de drain, la valeur du travail d'extraction aux extrémités de la gâchette étant supérieure à celle au centre de la gâchette. La gâchette comprend un premier matériau (A) au centre et un second matériau (B) dans la partie restante. Une telle configuration est obtenue par exemple par siliciuration.