PULSED-CONTINUOUS ETCHING

In a system and method of etching a sample disposed in an etching chamber, a plurality of separately stored charges of an etching gas is discharged, one at a time, into an etching chamber in which a sample to be etched is disposed. The discharge of each charge of etching gas is terminated while there is a sufficient amount of etching gas remaining to support a desired flow of etching gas into the etching chamber. During discharge of at least one charge of etching gas, at least one previously discharged charges of etching gas is recharged. The process of discharging a plurality of separately stored charges of an etching gas, one at a time, and recharging at least one previously discharged charges of etching gas during the discharge of at least one charge of etching gas continues until the sample is etched to a desired extent. La présente invention concerne un système et procédé de gravure d'un échantillon disposé dans une chambre de gravure, dans lequel une pluralité de charges stockées séparément d'un gaz de gravure est déchargée, une à la fois, dans la chambre de gravure dans laquelle un échantillon à graver est disposé. La décharge de chaque charge de gaz de gravure est complétée alors qu'il subsiste une quantité suffisante de gaz de gravure pour supporter un écoulement de gaz de gravure dans la chambre de gravure. Pendant la décharge d'au moins une charge de gaz de gravure, au moins une des charges de gaz de gravure déchargées précédemment est rechargée. Le procédé de décharge d'une pluralité de charges stockées séparément de gaz de gravure, une à la fois, et la recharge d'au moins une des charges de gaz de gravure déchargées précédemment pendant la décharge d'au moins une charge de gaz de gravure se poursuit jusqu'à l'obtention de la gravure de l'échantillon souhaitée.