BUMPLESS FLIP-CHIP ASSEMBLY WITH A COMPLIANT INTERPOSER CONTRACTOR

Consistent with an example embodiment, an integrated circuit device (IC) is assembled on a package substrate and encapsulated in a molding compound. There is a semiconductor die having a circuit pattern with contact pads. A package substrate having bump pad landings corresponding to the contact pads...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: NUNN, WAYNE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Consistent with an example embodiment, an integrated circuit device (IC) is assembled on a package substrate and encapsulated in a molding compound. There is a semiconductor die having a circuit pattern with contact pads. A package substrate having bump pad landings corresponding to the contact pads of the circuit pattern, has an interposer layer sandwiched between them. The interposer layer includes randomly distributed mutually isolated conductive columns of spherical particles embedded in an elastomeric material, wherein the interposer layer is subjected to a compressive force from pressure exerted upon an underside surface of the semiconductor die. The compressive force deforms the interposer layer causing the conductive columns of spherical particles to electrically connect the contact pads of the circuit pattern with the corresponding bump pad landings of the package substrate. The compressive force may be obtained from forces generated by thermal expansion properties of the molding compound and package substrate, metal clips or combinations, thereof. Conformément à une forme d'exécution donnée à titre d'exemple, un dispositif à circuit intégré (IC) est assemblé sur un substrat de boîtier et encapsulé dans un composé de moulage. Il est prévu une matrice à semi-conducteurs présentant un modèle de circuit à plots de contact. Un substrat de boîtier présentant des méplats à plages de bosses correspondant aux plots de contact du modèle de circuit, comporte une couche d'interposition prise en sandwich entre eux. La couche d'interposition comprend des colonnes conductrices isolées les unes des autres, réparties de façon aléatoire, de particules sphériques encastrées dans un matériau élastomère, la couche d'interposition étant soumise à une force de compression, du fait de la pression exercée sur une surface inférieure de la matrice semi-conductrice. La force de compression déforme la couche d'interposition, ce qui a pour effet que les colonnes conductrices de particules sphériques connectent électriquement les plages de contact du modèle de circuit avec les méplats à plages de bosses correspondants du substrat de boîtier. La force de compression peut être obtenue à partir de forces générées par des propriétés de dilatation thermique dudit composé de moulage et du substrat de boîtier, des pinces métalliques ou combinaisons de ces effets.