LOW DENSITY DRAIN HEMTS

Methods and devices for fabricating AlGaN/GaN normally-off high electron mobility transistors (HEMTs). A fluorine-based (electronegative ions-based) plasma treatment or low-energy ion implantation is used to modify the drain-side surface field distribution without the use of a field plate electrode. The off-state breakdown voltage can be improved and current collapse can be completely suppressed in LDD-HEMTs with no significant degradation in gains and cutoff frequencies. Procédés et dispositifs pour fabriquer des transistors à haute mobilité électronique AlGaN/GaN (HEMT) normalement ouverts. On utilise un traitement à base de fluor (à base d'ions électronégatifs) ou l'implantation ionique basse énergie pour modifier la distribution de champ de la surface côté drain sans utiliser une électrode de champ plat. On peut améliorer la tension de claquage à l'état ouvert et on peut supprimer entièrement l'effondrement du courant dans les LDD-HEMT sans aucune dégradation sensible des gains et des fréquences de coupure.