ALLOYS FOR FLIP CHIP INTERCONNECTS AND BUMPS

The present invention provides alloys for forming sputtered under bump metallization seed layers and electroplated or otherwise deposited bump metallurgy. The alloys of the present invention are comprised of silver with gold or palladium, copper with gold, or gold with nickel or palladium which provide suitable sputtering and electrical characteristics and resistance to corrosion and tarnishing. The invention further provides for semiconductor devices made from metal alloys for UBM and bump metallurgy, and for a method of making such semiconductor devices. La présente invention concerne des alliages pour former des couches de germes UBM (métallisation sous protubérances) pulvérisées et une métallurgie de protubérance galvanisée ou autrement déposée. Les alliages de la présente invention sont composés d'argent avec de l'or ou du palladium, de cuivre avec de l'or ou d'or avec du nickel ou du palladium qui assurent des caractéristiques appropriées électriques et de pulvérisation, ainsi qu'une résistance à la corrosion et au ternissement. L'invention concerne, également, des dispositifs à semi-conducteurs constitués à partir d'alliages de métaux pour une métallurgie UBM et de protubérance et un procédé pour réaliser ces dispositifs à semi-conducteurs.