CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY HAVING PHASE CHANGE MATERIAL DEVICES

Content-addressable memory (CAM) cells (1700) comprised of phase change material devices (PCMDs) (1702, 1704), including PCMD-based binary CAM cells (PCMD-based BCAM cells), PCMD-based ternary CAM cells (PCMD-based TCAM cells), and PCMD-based universal CAM cells (PCMD-based UCAM cells). The PCMDs of the various PCMD-based CAM cells are configured and programmed in a manner that allows a logic "0" or a logic "1" to be stored by the CAM cell (1700). The logic value stored by a given PCMD-based CAM cell depends on the program states of the PCMDs (1702, 1704). A program state of a PCMD (1702, 1704) is determined by whether the phase change material of the PCMD has been allowed to solidify to a crystalline, low-resistance state during a programming operation, or whether the phase change material of the PCMD is forced to solidify to an amorphous, high-resistance state during the programming operation. Cellule de mémoire adressable par contenu (CAM) comprenant des dispositifs à matériau à changement de phase (PCMD), incluant des cellules CAM binaires basées sur PCMD (cellules BCAM basées sur PCMD), des cellules CAM ternaires basées sur PCMD (cellules TCAM basées sur PCMD) et des cellules CAM universelles basées sur PCMD (cellules UCAM basées sur PCMD). Les PCMD des différentes cellules CAM basées sur PCMD sont configurés et programmés d'une manière autorisant un " 0 " logique ou un " 1 " logique à être stocké par la cellule CAM. La valeur logique stockée par une cellule CAM basée sur PCMD donnée dépend des états de programme des PCMD. Un état de programme d'un PCMD est déterminé par le fait que le matériau de changement de phase du PCMD a été autorisé à se solidifier en un état cristallin, à faible résistance, pendant une opération de programmation ou que le matériau à changement de phase du PCMD a été forcé à se solidifier en un état amorphe, à haute résistance, pendant l'opération de programmation.