NOVEL MATERIAL AND PROCESS FOR INTEGRATED ION CHIP

An integrated ion chip for a large scale quantum device of interconnected ion (or other charged particles) traps each holding a small number of particles for a finite period of time, in a preferred embodiment using sapphire as the substrate, having an internal trapping, translation, and quantum manipulation zones and having a first set of electrodes and a second set of electrodes for trapping ions and for quantum manipulations, in a preferred embodiment using silicon carbide (and materials of similar characteristics) as a core structure material, and utilizing unique fabrication processes using micromachining and thin film techniques. La présente invention concerne une puce à ions intégrée destinée à un système quantique à grande échelle de pièges à ions (ou autres particules chargées) interconnectés prenant en charge un nombre limité de particules pendant un temps fini, employant du saphir comme substrat dans un mode de réalisation préféré, présentant des zones de piégeage interne, de translation et de manipulation quantique, et présentant un premier ensemble d'électrodes et un second ensemble d'électrodes destinés à piéger des ions et à réaliser des manipulations quantiques, employant du carbure de silicium (et autres substances de propriétés similaires) comme substance de structure centrale dans un mode de réalisation préféré, et faisant appel à des méthodes de fabrication uniques qui font intervenir des techniques de micro-usinage et des techniques à films minces.