INTEGRATED SEMICONDUCTOR TEMPERATURE DETECTION APPARATUS AND METHOD

An integrated semiconductor apparatus (300) (such as, but not limited to, a radio frequency power device) is comprised of a plurality of active device cells (302, 303), a plurality of temperature detectors (304, 305), and a controller (308). The active device cells are preferably each comprised of a plurality of active devices having a common signal input and a common signal output. The temperature detectors are preferably configured and arranged such that each of the temperature detectors detects a temperature indicator (such as infrared radiation) as corresponds to at least one of the active device cells but not, at least in substantial measure, other of the active device cells. The controller preferably operably couples to these temperature detectors and receives their detected output and generates control signals that operate on the inputs to the active device cells in a manner that changes the relative active device cell temperatures. L'invention porte sur un appareil intégré (300) à semi-conducteur (par exemple un dispositif RF de puissance) comportant plusieurs cellules de dispositifs actifs (302, 303), plusieurs détecteurs de température (304, 305), et un contrôleur (308). Les cellules de dispositifs actifs comportent chacune de préférence plusieurs dispositifs actifs présentant une entrée de signaux commune et une sortie de signaux commune. Les détecteurs de température sont de préférence conçus et disposés pour détecter un indicateur de température (par exemple des IR) correspondant à au moins l'une des cellules de dispositifs actifs, mais pas, au moins substantiellement, à d'autres cellules de dispositifs actifs. Le contrôleur, qui se couple de préférence aux détecteurs de température, reçoit leur signaux, et produit des signaux de commande agissant sur les entrées des cellules de dispositifs actifs de manière à en modifier les températures relatives.