METHOD AND APPARATUS FOR THE LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF DOPED SILICON NITRIDE FILMS

A method and apparatus for low temperature deposition of doped silicon nitride films is disclosed. The improvements include a mechanical design for a CVD chamber that provides uniform heat distribution for low temperature processing and uniform distribution of process chemicals, and methods for depositing at least one layer comprising silicon and nitrogen on a substrate by heating a substrate, flowing a silicon containing precursor into a processing chamber having a mixing region defined by an adaptor ring and one or more blocker plates and an exhaust system, heating the adapter ring and a portion of the exhaust system, flowing one or more of a hydrogen, germanium, boron, or carbon containing precursor into the processing chamber, and optionally flowing a nitrogen containing precursor into the processing chamber. La présente invention concerne un procédé et un appareil de dépôt à basse température de films de nitrure de silicium dopé. Les améliorations comprennent une conception mécanique pour une chambre de dépôt chimique en phase vapeur qui permet la distribution uniforme de chaleur pour le traitement à basse température et la distribution uniforme de produits chimiques de traitement, ainsi qu'un procédé pour le dépôt d'au moins une couche comprenant du silicium et de l'azote sur un substrat par chauffage d'un substrat, écoulement d'un précurseur contenant du silicium dans une chambre de traitement possédant une région de mélange définie par une bague adaptatrice et un ou plusieurs plateaux de blocage, ainsi qu'un système d'échappement, puis par chauffage de la bague adaptatrice et d'une partie du système d'échappement, écoulement d'un précurseur contenant de l'hydrogène, du germanium, du bore ou du carbone dans la chambre de traitement et enfin par écoulement éventuel d'un précurseur contenant de l'azote dans la chambre de traitement.