SINGLE BATH ELECTRODEPOSITED CU(IN,GA)SE2 THIN FILMS USEFUL AS PHOTOVOLTAIC DEVICES

Single bath electrodeposition of polycrystalline Cu(In1Ga)Se2 thin films for photovoltaic applications is disclosed. Specifically, Cu(In1Ga)Se2 was deposited onto Mo electrodes from low concentration buffered (pH 2.5) aqueous baths containing CuCI2, InCI3, GaCI3 and H2SeO3. Moreover, buffered aqueous baths are disclosed wherein Se4+/Cu2+ concentration ratios were controlled to optimize Se and Cu levels, while In3+ concentration was adjusted to control deposited In and Ga. Further disclosed are pre- and post-deposition processing methods resulting in smooth, compact, crack-free films of near stoichiometric values. La présente invention concerne la déposition par voie galvanique à un bain de pellicules minces polycristallines au Cu(In,Ga)Se2 pour des applications photovoltaïques. Spécifiquement, du Cu(In,Ga)Se2 a été déposé sur des électrodes en Mo à partir de bains aqueux tamponnés (pH 2,5) à faible concentration contenant du CuCI2, de l'InCI3, du GaCI3 et du H2SeO3. La présente invention concerne de plus des bains aqueux tamponnés dont les rapports de concentration Se4+/Cu2+ ont été contrôlés pour optimiser les niveaux de Se et de Cu, tandis que la concentration en In3+ a été ajustée pour contrôler l'In et le Ga déposés. La présente invention concerne en outre les procédés de traitement pré et post-déposition résultant en des pellicules lisses, compactes et dépourvues de fissures de valeurs presque stoehiométriques.