LITHOGRAPHY VERIFICATION USING GUARD BANDS

A method for verifying a lithographic process is described. During the method, a set of guard bands are defined around a target pattern that is to be printed on a semiconductor die using a photo-mask in the lithographic process. An estimated pattern is calculated using a model of the lithographic process. This model of the lithographic process includes a mask pattern corresponding to the photo-mask and a model of an optical path. Then, whether or not positions of differences between the estimated pattern and the target pattern exceeded one or more guard bands in the set of guard bands is determined. La présente invention concerne un procédé permettant de vérifier un processus lithographique. Pendant ce procédé, un ensemble de bandes de protection sont définies autour d'un motif cible à imprimer sur une puce semi-conducteur au moyen d'un photomasque dans ce processus lithographique. Un motif estimé est calculé au moyen d'un modèle de ce processus lithographique. Ce modèle de processus lithographique comprend un motif de masque correspondant au photomasque du modèle de trajet optique. Ensuite, on détermine si des positions de différence entre le motif estimé et le motifs cible mordent dans une ou dans plusieurs bandes de protection dans l'ensemble de bandes protection.