MASK-PATTERN DETERMINATION USING TOPOLOGY TYPES

A method for determining a mask pattern is described. During the method, a first mask pattern that includes a plurality of second regions corresponding to the first regions of the photo-mask is provided. Then, a second mask pattern is determined based on the first mask pattern and differences between a target pattern and an estimate of a wafer pattern that results from the photolithographic process that uses at least a portion of the first mask pattern. Note that the determining includes different treatment for different types of regions in the target pattern, and the second mask pattern and the target pattern include pixilated images. La présente invention concerne un procédé permettant de déterminer une structure de masque. Pendant ce procédé, une première structure de masque comprenant une pluralité de deuxièmes régions correspondant aux premières régions du photomasque est produite. Puis, une seconde structure de masque est déterminée fondée sur la première structure de masque et sur des différences entre une structure cible et une estimation de structure de plaquette d'un processus photolithographique qui utilise au moins une partie de la première structure de masque. Notons que la détermination comprend différents traitements pour différents types de région dans la structure cible et, que la seconde structure de masque et la structure cible comprennent des images pixelisées.