BEAM EXPOSURE WRITING STRATEGY SYSTEM AND METHOD

A beam exposure writing strategy method and system are disclosed for exposing a desired pattern on a substrate, by raster scanning a beam such as a particle beam, across a major field on the substrate. The beam is also vector scanned across a minor field of the substrate superimposed along the major field raster scan. The beam is selectively blanked and unblanked as the beam is being scanned. The unblanked flashes of the beam are modulated in coordination with the raster and vector scanning to expose the desired pattern on the substrate. The disclosed system and method generating an adjustable length microvector having a maximum range of at least about N time a nominal length ?, where N is equal to four and ? is substantially equal to a dimension of a nominal flash area, the nominal flash location dimension being substantially greater than a major field cell dimension. L'invention concerne un procédé et système de stratégie d'écriture d'exposition de faisceau permettant d'exposer un motif désiré sur un substrat, par balayage de trame d'un faisceau comme un faisceau de particules, de part et d'autre d'un champ principal sur le substrat. Le faisceau effectue également un balayage vectoriel de part et d'autre d'un champ auxiliare du substrat superposé le long du balayage de trame de champ principal. Le faisceau est masqué et exposé de manière sélective pendant le balayage du faisceau. Les éclairs exposés du faisceau sont modulés en coordination avec le balayage de trame et le balayage vectoriel pour exposer le motif désiré sur le substrat. Le système et le procédé de l'invention génèrent un microvecteur de longueur réglable d'une fourchette maximale d'au moins environ N fois une longueur nominale ?, où N est égal à quatre et ? est sensiblement égal à une dimension d'une zone d'éclair nominale, la dimension d'emplacement d'éclair nominale étant sensiblement supérieure à une dimension de cellule de champ principal.