BURST MODE PIN DIODE FOR PASSIVE OPTICAL NETWORKS (PON) APPLICATIONS

A PIN photodiode optimized for burst mode applications comprising an InP substrate, an N-InGaAs layer grown on the InP substrate, an essentially intrinsic (I)-InGaAs layer formed on the highly doped InP layer, a highly doped P+- InGaAs layer formed on the I-InGaAs layer and an antireflection coating...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	BEN-AMRAM, HAIM
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A PIN photodiode optimized for burst mode applications comprising an InP substrate, an N-InGaAs layer grown on the InP substrate, an essentially intrinsic (I)-InGaAs layer formed on the highly doped InP layer, a highly doped P+- InGaAs layer formed on the I-InGaAs layer and an antireflection coating formed on top of the highly P- InGaAs layer. In a preferred embodiment, the N-InGaAs layer is 60nm thick, the I-InGaAs layer is 450nm thick and the P-InGaAs layer is 450nm thick. L'invention concerne une photodiode PIN optimisée pour des applications à mode rafale. Ladite photodiode comprend un substrat InP, une couche de N-InGaAs développée sur le substrat InP, une couche d'(I)-InGaAs sensiblement intrinsèque formée sur la couche d'InP hautement dopée, une couche de P+- InGaAs hautement dopée formée sur la couche d'I-InGaAs et un revêtement antireflet formé au-dessus de la couche de P- InGaAs hautement dopée. Dans un mode de réalisation préféré, la couche de N-InGaAs présente une épaisseur de 60nm, la couche d'I-InGaAs présente une épaisseur de 450nm et la couche de P-InGaAs présente une épaisseur de 450nm.