METHOD FOR RECRYSTALLISING LAYER STRUCTURES OF BY ZONE MELTING, DEVICE FOR CARRYING OUT SAID MEHTOD AND THE USE THEREOF

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Rekristallisierung von Schichtstrukturen mittels Zonenschmelzen, bei dem durch geschickte Anordnung mehrerer Wärmequellen eine deutliche Beschleunigung des Zonenschmelz -Verfahrens erreicht werden kann. Das Verfahren basiert darauf , dass durch entstehende Üb...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	REBER, STEFAN, HAAS, FRIDOLIN, EYER, ACHIM
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Rekristallisierung von Schichtstrukturen mittels Zonenschmelzen, bei dem durch geschickte Anordnung mehrerer Wärmequellen eine deutliche Beschleunigung des Zonenschmelz -Verfahrens erreicht werden kann. Das Verfahren basiert darauf , dass durch entstehende Überlappungen eine lückenlose Rekristallisierung der Schicht gewährleistet wird. Erfindungsgemäß wird ebenso eine Vorrichtung bereitgestellt, mit der das erf indungsgemäße Verfahren realisiert werden kann. Verwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren insbesondere bei der Herstellung kristalliner Silizium- Dünnschichtsolarzellen oder z.B. in der SOI- Technologie. Die Anwendung betrifft aber ebenso auch allgemein die Verarbeitung von Metallen, Kunststoffen oder Klebstoffen und hier insbesondere die Herstellung dünner Schichten. The invention relates to a method for recrystallising layer structures by zone melting consisting in positioning several heat sources in a convenient manner in such a way that a zone melting process is substantially accelerated. The inventive method is based on that the thus formed overlaps guarantee an entire layer recrystallisation. A device for carrying out said method is also disclosed. The inventive method can be used for producing crystalline silicon thin-layer solar cells or, for example, in a SOI technology. Metal, plastic or adhesive processing, in particular, thin layer production are also disclosed. L'invention concerne un procédé de recristallisation de structures de couches par le processus de la zone fondue, consistant à disposer de façon adéquate plusieurs sources de chaleur de manière à accélérer considérablement le processus de la zone fondue. Le procédé selon l'invention repose sur le fait que les chevauchements créés garantissent une recristallisation complète de la couche. L'invention concerne également un dispositif destiné à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Ledit procédé peut être employé dans la fabrication de cellules solaires cristallines en silicium à couches minces ou par ex. dans la technologie silicium sur isolant (SOI). L'invention concerne également le traitement de métaux, plastiques ou adhésifs, et notamment la fabrication de couches minces.