SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A semiconductor device is provided with a groove section (11) formed on a semiconductor substrate (10); first ONO films (18) arranged on both side planes of the groove section (11); and first word lines (22) arranged on side planes of the first ONO films (18) and extend in the longitudinal direction of the groove section (11). A method for manufacturing such semiconductor device is also provided. By the semiconductor device and the method for manufacturing the same, high storage capacity can be achieved. L'invention concerne un composant à semiconducteur comportant une section de rainure (11) formée sur un substrat semiconducteur (10), des premiers films ONO (18) disposés sur les deux plans latéraux de la section de rainure (11), ainsi que des premières lignes de mots (22) disposées sur les plans latéraux des premiers films ONO (18) et qui s'étendent dans la direction longitudinale de la section de rainure (11). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel composant à semiconducteur. Grâce au composant à semiconducteur et à son procédé de fabrication, une capacité de stockage élevée peut être atteinte.