REACTOR, PLANT AND INDUSTRIAL PROCESS FOR THE CONTINUOUS PREPARATION OF HIGH-PURITY SILICON TETRACHLORIDE OR HIGH-PURITY GERMANIUM TETRACHLORIDE

The invention relates to a reactor, a plant and a continuous, industrial process carried out therein for preparing high-purity silicon tetrachloride or high-purity germanium tetrachloride by treating the silicon tetrachloride or germanium tetrachloride to be purified, which is contaminated by at least one hydrogen-containing compound, by means of a cold plasma and isolating purified high-purity silicon tetrachloride or germanium tetrachloride from the resulting treated phase by fractional distillation, wherein the treatment is carried out in a plasma reactor (4) in which the longitudinal axes of the dielectric (4.4), of the high-voltage electrode (4.3) and of the earthed, metallic heat exchanger (4.2) are oriented parallel to one another and at the same time parallel to the force vector of gravity. La présente invention concerne un réacteur, une installation et un procédé industriel et continu effectué dans ceux-ci pour préparer du tétrachlorure de silicium de grande pureté ou du tétrachlorure de germanium de grande pureté par le traitement du tétrachlorure de silicium ou du tétrachlorure de germanium à purifier, lequel étant contaminé par au moins un composé contenant de l'hydrogène, au moyen de plasma froid et par l'isolement du tétrachlorure de silicium ou du tétrachlorure de germanium de grande pureté purifié de la phase traitée résultante par distillation fractionnée, le traitement étant effectué dans un réacteur à plasma (4) dans lequel les axes longitudinaux du diélectrique (4.4), de l'électrode à haute tension (4.3) et de l'échangeur thermique métallique mis à la terre (4.2) sont orientés de manière parallèle les uns par rapport aux autres et en même temps de manière parallèle au vecteur de force de la pesanteur.