PULSED ETCHING COOLING

In an apparatus and method of vapor etching, a sample (S) to be etched is located in a main chamber (107) from which the atmosphere inside is evacuated. Etching gas is input into the main chamber (107) for a first period of time. Thereafter, the etching gas is evacuated from the main chamber (107) and cooling/purging gas is input into the main chamber for a second interval of time. Thereafter, the cooling/purging gas is evacuated from the main chamber (107). Desirably, the steps of inputting the etching gas into the main chamber (107) for the first period of time, evacuating the etching gas from the main chamber, inputting the cooling/purging gas into the main chamber (107) for the second period of time, and evacuating the cooling/purging gas from the main chamber are repeated until samples have been etched to a desired extent. Dans un dispositif et un procédé de gravure à la vapeur, un échantillon (S) à graver est placé dans une chambre principale (107) dont l'espace intérieur est mis sous vide. Du gaz de gravure est introduit dans la chambre principale (107) pendant un premier intervalle de temps. Ensuite, le gaz de gravure est évacué de la chambre principale (107) et un gaz de refroidissement/nettoyage y est introduit pendant un deuxième intervalle de temps. Le gaz de refroidissement/nettoyage est alors évacué de la chambre principale (107). Les étapes d'introduction du gaz de gravure dans la chambre principale (107) pendant le premier intervalle de temps, d'évacuation du gaz de gravure de la chambre principale, d'introduction du gaz de refroidissement/nettoyage dans la chambre principale (107) pendant le deuxième intervalle de temps et d'évacuation du gaz de refroidissement/nettoyage de la chambre principale sont, de préférence, répétées jusqu'à ce que les échantillons présentent le degré de gravure souhaité.