NONVOLATILE MEMORY CELL PROGRAMMING

A method for programming a non-volatile memory (NVM) cell (110) includes applying an increasing voltage to the current electrode (118) that is used as a source during a read. The initial programming source voltage results in a relatively small number of electrons being injected into the storage layer. Because of the relatively low initial voltage level, the vertical field across the gate dielectric is reduced. The subsequent elevation of the source voltage does not raise the vertical field significantly due to the electrons in the storage layer establishing a field that reduces the vertical field. With less damage to the gate dielectric during programming, the endurance of the NVM cell is improved. Procédé de programmation de cellule de mémoire non volatile (110) qui consiste à appliquer une tension croissante à l'électrode de courant (118) utilisée comme source durant une lecture. La tension de source de programmation initiale fait que le nombre d'électrons injectés dans la couche de stockage est relativement réduit. Compte tenu du niveau de tension initial relativement faible, le champ vertical aux bornes du diélectrique de grille est réduit. L'élévation de la tension de source qui s'ensuit n'entraîne pas d'augmentation importante du champ vertical, car les électrons établissent dans la couche de stockage un champ qui réduit le champ vertical. En réduisant les dégâts qui peuvent être occasionnés au diélectrique de grille durant la programmation, on améliore la résistance de la cellule de mémoire non volatile.