SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

A desired integrated circuit is obtained by bonding a plurality of semiconductor substrates and electrically connecting integrated circuits formed respectively on semiconductor chips of the semiconductor substrates. A penetrating electrode penetrating between the main plane and the rear plane of each of the semiconductor substrates and a penetrating separation section for separating the penetrating electrode are separately arranged. After forming an insulating trench section for forming the penetrating separation section on the semiconductor substrate, a MIS·FET can be formed, and then, a conductive trench section for forming the penetrating electrode can be formed. Thus, element characteristics of the semiconductor device having a three-dimensional structure can be improved. Cette invention concerne un circuit intégré obtenu par liaison d'une pluralité de substrats semi-conducteurs et connexion électrique de circuits intégrés formés respectivement sur des puces semi-conductrices des substrats semi-conducteurs. Une électrode pénétrante pénètre entre le plan principal et le plan arrière de chaque substrat semi-conducteur et un élément de séparation de pénétration est indépendamment disposé pour séparer cette électrode. Après formation d'une tranchée isolante pour créer l'élément de séparation de pénétration sur le substrat semi-conducteur, un transistor à effet de champ de type MIS peut être formé, puis une tranchée conductrice pour créer l'électrode pénétrante. Ce procédé permet de perfectionner les caractéristiques d'éléments du dispositif à semi-conducteur à structure tridimensionnelle.