STABILIZED ETCHING SOLUTIONS FOR CU AND CU/NI LAYERS

Die vorliegende Erfindung betrifft neue, lagerstabile Lösungen, mit deren Hilfe in der Halbleitertechnologie gezielt Metallisierungsschichten aus Kupfer aber auch Cu/Ni- Schichten geätzt werden können. Mit den neuen Ätzlösungen ist es möglich, reine Kupfermetallisierungen, Schichten aus Kupfer-Nicke...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FLUEGGE, MARTIN, MELLIES, RAIMUND, SCHWAGER, MARIANNE, GOELZENLEUCHTER, THOMAS, OESTEN, RUEDIGER
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft neue, lagerstabile Lösungen, mit deren Hilfe in der Halbleitertechnologie gezielt Metallisierungsschichten aus Kupfer aber auch Cu/Ni- Schichten geätzt werden können. Mit den neuen Ätzlösungen ist es möglich, reine Kupfermetallisierungen, Schichten aus Kupfer-Nickel-Legierungen aber auch übereinander liegende Kupfer und Nickelschichten zu ätzen und zu strukturieren. Die Lösungen enthalten Salpetersäure, Wasserstoffperoxid, Zitronensäure und Wasser. The invention relates to novel solutions that are stable in storage with the aid of which, in semiconductor technology, specific metallization layers made of copper and also Cu/Ni layers can be etched. The novel etching solutions make it possible to etch and structure pure copper metallizations, layers made of copper/nickel alloys and also couple and nickel layers lying one atop the other. The solutions contain nitric acid, hydrogen peroxide, citric acid and water. L'invention concerne de nouvelles solutions stables au stockage servant, dans la technologie des semi-conducteurs, à attaquer de manière ciblée des couches de métallisation en cuivre et des couches de Cu/Ni. Ces solutions d'attaque permettent d'attaquer et de structurer des métallisations de cuivre pures, des couches en alliages cuivre-nickel et des couches de cuivre et de nickel superposées. Lesdites solutions contiennent de l'acide nitrique, du peroxyde d'hydrogène, de l'acide citrique et de l'eau.