SEMICONDUCTOR POWER DEVICE WITH MULTIPLE DRAIN STRUCTURE AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS

Process for manufacturing a multi-drain power electronic device (30) characterised in that it comprises the following steps: forming a first semiconductor layer (21) of the first type of conductivity - forming at least a second semiconductor layer (23) of a second type of conductivity on the first semiconductor layer (21), forming, in this at least a second semiconductor layer (23), a first plurality of implanted regions (D3) of the first type of conductivity forming implanted body regions (40) of the second type of conductivity in portions of said second semiconductor layer (23) free from said first plurality of implanted regions (D3), - carrying out a thermal diffusion process so that the first plurality of implanted regions (D3) form a first plurality of electrically continuous implanted column regions (D) of the first type of conductivity along this at least a second semiconductor layer (23) and in electric contact with the first semiconductor layer (21). Procédé de fabrication d'un dispositif électronique de puissance multi-drains (30) caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : formation d'une première couche semi-conductrice (21) du premier type de conductivité; formation d'au moins une seconde couche semi-conductrice (23) d'un second type de conductivité sur la première couche semi-conductrice (21); formation sur cette au moins une seconde couche semi-conductrice (23) d'une première pluralité de zones implantées (D3) du premier types de conductivité formant des zones de corps implantées (40) du second type de conductivité de ladite seconde couche semi-conductrice (23) dépourvues de ladite première pluralité de zones implantées (D3); réalisation d'un processus de diffusion thermique de sorte que la première pluralité de zones implantées (D3) forme une première pluralité de zones en colonnes implantées électriquement continues (D) du premier type de conductivité le long de cette au moins une seconde couche semi-conductrice (23) et en contact électrique avec la première couche semi-conductrice (21).