LDMOS TRANSISTOR

The LDMOS transistor (1) of the invention comprises a substrate (2), a gate electrode (10), a substrate contact region (11), a source region (3), a channel region (4) and a drain region (5), which drain region (5) comprises a drain contact region (6) and a drain extension region (7). The drain contact region (6) is electrically connected to a top metal layer (23), which extends over the drain extension region (7), with a distance (723) between the top metal layer (23) and the drain extension region (7) that is larger than 2µm. This way the area of the drain contact region (6) may be reduced and the RF power output efficiency of the LDMOS transistor (1) increased. In another embodiment the source region (3) is electrically connected to the substrate contact region (11) via a suicide layer (32) instead of a first metal layer (21), thereby reducing the capacitive coupling between the source region (3) and the drain region (5) and hence increasing the RF power output efficiency of the LDMOS transistor (1) further. L'invention concerne un transistor à MOS latéralement diffusé LDMOS (1). Ce transistor comprend un substrat (2), une électrode de grille (10), une zone de contact avec le substrat (11), une zone de source (3), une zone de canal (4) et une zone de drain (5), la zone de drain (5) comprenant une zone de contact avec le drain (6) et une zone de prolongement de drain (7). La zone de contact avec le drain (6) est électriquement reliée à une couche métallique supérieure (23) qui s'étend sur la zone de prolongement de drain (7), une distance (723) séparant la couche métallique supérieure (23) et la zone de prolongement de drain (7), cette distance étant supérieure à 2?m. De cette manière, la zone de contact avec le drain (6) peut être réduite, et l'efficacité de production de puissance RF du transistor LDMOS (1) peut être accrue. Dans un autre mode de réalisation, la zone de source (3) est électriquement reliée à la zone de contact avec le substrat (11), par une couche sacrificielle (32), utilisée à la place d'une première couche métallique (21), ce qui permet de réduire le couplage capacitatif entre la zone de source (3) et la zone de drain (5), et ce qui permet d'augmenter plus avant l'efficacité de production de puissance RF du transistor LDMOS.