CMOS IMAGER WITH WIDE DYNAMIC RANGE PIXEL

A light sensor is provided in the active pixel sensor cell for sensing incident radiation. The voltage corresponding to a photon-generated charge in the cell is stored on a storage node via a sample-and-hold capacitor. The signal is read via a readout source-follower (RSF) transistor. The RSF drain is connected to the row select switch while its drain is connected to the output node on the column output bus. This configuration couples the storage node to the gate-source capacitance of the RSF transistor, allowing the voltage on the storage node to increase proportionally to the increase in voltage on the readout node when the row select is closed and enabling the drain current to flow through the RSF to the column output bus. L'invention porte sur un détecteur de lumière incidente placé dans une cellule détectrice de pixels actifs. La tension correspondant à la charge de la cellule, produite par les photons, est stockée dans un noeud de stockage via un condensateur d'échantillonnage/maintien, le signal étant lu par un transistor RSF (readout source-follower). Le drain du transistor RSF est relié au commutateur de sélection de rangées, alors que le drain l'est relié au noeud de sortie du bus de sortie des colonnes. Cette configuration relie le noeud de stockage à la capacité grille/source du transistor RSF, ce qui permet à la tension du noeud de stockage de croître proportionnellement à la tension du noeud de lecture lors que le sélecteur de tension est fermé, et permet au courant de drain de s'écouler à travers le RSF vers le bus de sortie des colonnes.