SEMICONDUCTOR WAFER CUTTING BLADE AND METHOD

The invention provides apparatus and methods for sawing and singulating individual devices from a silicon or glass-bonded semiconductor wafer. Using methods of the invention, wafer device singulation includes a step of sawing kerfs approximately coinciding with the peripheries of numerous devices ar...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: HARRIS, JOHN, PAUL, JR
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The invention provides apparatus and methods for sawing and singulating individual devices from a silicon or glass-bonded semiconductor wafer. Using methods of the invention, wafer device singulation includes a step of sawing kerfs approximately coinciding with the peripheries of numerous devices arranged on a wafer. Kerfs are also sawn into the opposite side of the wafer approximately opposing the first kerfs. Mechanical stress is applied to the wafer causing controlled breakage of the intervening wafer material, severing each of the devices from its neighbors. A saw blade (30) apparatus of the invention provides enhanced cutting characteristics and is particularly suited for glass-bonded semiconductor wafer device singulation. The saw blade has a diamond disc (32) suitable for high-speed rotation about its axis. The saw blade of the invention also preferably has a radiused cutting edge (36), and an annular gutter symmetrically disposed about the circumference on each of the opposing planes of the disc. L'invention concerne un appareil et des procédés de sciage et de séparation de dispositifs individuels d'une tranche à semi-conducteurs faite de silicium ou de verre. La séparation des dispositifs de la tranche selon les procédés de l'invention consiste à former des entailles coïncidant approximativement avec les contours des nombreux dispositifs formés sur la tranche. D'autres entailles sont également formées sur le côté opposé de la tranche face aux premières entailles. Une contrainte mécanique est appliquée sur la tranche, provoquant la cassure contrôlée du matériau actif de la tranche, séparant chaque dispositif de ses voisins. L'appareil à lame (30) de scie de l'invention présente des caractéristiques de coupe améliorées, et est particulièrement adapté pour la séparation de dispositifs d'une tranche à semi-conducteurs formée de verre. La lame de scie présente un disque (32) en diamant adapté pour une rotation à vitesse élevée autour de son axe. La lame de scie de l'invention présente également, de préférence, un bord tranchant arrondi (36), et un logement de bavure annulaire disposé de façon symétrique autour de la circonférence sur chacun des plans opposés du disque.