METHOD OF CURING HYDROGEN SILSES QUIOXANE AND DENSIFICATION IN NANO-SCALE TRENCHES

Trenches in a semiconductor substrate are filled by (i) dispensing a film forming material on the semiconductor substrate and into the trenches; (ii) curing the dispensed film forming material in the presence of an oxidant at a first low temperature for a first predetermined period of time; (iii) curing the dispensed film forming material in the presence of an oxidant at a second low temperature for a second predetermined period of time; (iv) curing the dispensed film forming material in the presence of an oxidant at a third high temperature for a third predetermined period of time; and (v) forming filled oxide trenches in the semiconductor substrate. The film forming material is hydrogen silsesquioxane. L'invention concerne le remplissage des tranchées d'un substrat à semi-conducteurs (i) par distribution d'un matériau filmogène sur le substrat à semi-conducteurs et dans les tranchées; (ii) par durcissement du matériau filmogène distribué en présence d'un oxydant à une première basse température pendant une première durée prédéterminée; (iii) par durcissement du matériau filmogène distribué en présence d'un oxydant à une deuxième basse température pendant une deuxième durée prédéterminée; (iv) par durcissement du matériau filmogène distribué en présence d'un oxydant à une troisième basse température pendant une troisième durée prédéterminée; et (v) par formation de tranchées d'oxyde remplies dans le substrat à semi-conducteurs. Le matériau filmogène est l'hydrogène silsesquioxane.