LIGHT-EMITTING DIODE CHIP COMPRISING A CONTACT STRUCTURE

Bei einem Lumineszenzdiodenchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche (1) und einer Kontaktstruktur (2, 3, 4), die auf der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet ist, und ein Bondpad (4) und mehrere zur Stromaufweitung vorgesehene Kontaktstege (2, 3), die mit dem Bondpad (4) elektrisch leitend verbunden sind, umfasst, ist das Bondpad (4) in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch eine verminderte Absorption der emittierten Strahlung (23) in der Kontaktstruktur (2, 3, 4) aus. The invention relates to a light-emitting diode chip which comprises a radiation exit surface (1) and a contact structure (2, 3, 4), disposed on the radiation exit surface (1), and a bond pad (4) and a plurality of contact webs (2, 3), provided for current spreading and electrically contacted to the bond pad (4). The inventive chip is characterized in that the bond pad (4) is provided in an edge area of the radiation exit surface (1). The light-emitting diode chip is especially characterized by a reduced absorption of emitted radiation (23) in the contact structure (2, 3, 4). L'invention concerne une puce de diode électroluminescente comportant une surface de sortie de rayonnement (1) et une structure de contact (2, 3, 4), qui est disposée sur la surface de sortie de rayonnement, qui comprend également un plot de connexion (4) et plusieurs entretoises de contact (2, 3), interconnectées avec le plot de connexion (4), de manière électroconductrice. Le plot de connexion (4) est disposé dans une zone marginale de la surface de sortie de rayonnement (1). La puce de diode électroluminescente se caractérise notamment par une absorption réduite du rayonnement émis (23) dans la structure de contact (2, 3, 4).