MEMORY STRUCTURE AND METHOD OF PROGRAMMING

A memory and a method for programming a memory device are discussed. The method comprises selecting (32) a cell to program, wherein the cell is coupled to a bit line, applying (34) a first programming pulse, wherein the first programming pulse comprises applying a first voltage to the bit line, verifying (36) if the cell is programmed after applying the first programming pulse, and applying (38) a second programming pulse to the bit line after applying the first programming pulse if the cell is not programmed after applying the first programming pulse, wherein second programming pulse comprises applying a second voltage to the bit line, wherein the second voltage is different than the first voltage. L'invention porte sur une mémoire et un procédé de programmation d'un dispositif de mémoire. Ce procédé consiste à sélectionner (32) une cellule d'un programme, cette cellule étant reliée à une ligne binaire, à appliquer (34) une première impulsion de programmation, cette première impulsion de programmation consistant à appliquer une première tension sur la ligne binaire, à vérifier (36) si la cellule est programmée après application de la première impulsion de programmation, et à appliquer (38) une seconde impulsion de programmation sur la ligne binaire après application de la première impulsion de programmation si la cellule n'est pas programmée après application de la première impulsion de programmation, la seconde impulsion de programmation consistant à appliquer une seconde tension sur la ligne binaire, la seconde tension étant différente de la première tension.