MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a memory element, a memory device, and a semiconductor device, which can be easily manufactured at low cost; are nonvolatile and data-rewritable; and have preferable switching properties and low operating voltage. A memory element of the invention includes a first conductive layer, a second conductive layer facing the first conductive layer, and an organic compound layer provided between the first and the second conductive layers. For the organic compound layer, a high molecular material having an amide group at least at one kind of side chains is used. La présente invention concerne un élément de mémoire, un dispositif de mémoire et un dispositif semi-conducteur pouvant être facilement fabriqués à faible coût, non volatiles et réinscriptibles; et présentant des propriétés de commutation préférables et une tension de fonctionnement faible. L'élément de mémoire selon l'invention comporte une première couche conductrice, une seconde couche conductrice faisant face à la première couche conductrice, et une couche de composé organique placée entre les première et seconde couches conductrices. Pour la couche de composé organique, un matériau hautement moléculaire comportant un groupe amide au moins sur un type de chaines latérales est utilisé.