LASER FACET PASSIVATION

Methods of preparing front and back facets of a diode laser include controlling an atmosphere within a first chamber, such that an oxygen content and a water vapor content are controlled to within predetermined levels and cleaving the diode laser from a wafer within the controlled atmosphere of the first chamber to form a native oxide layer having a predetermined thickness on the front and back facets of the diode laser. After cleavage, the diode laser is transported from the first chamber to a second chamber within a controlled atmosphere, the native oxide layer on the front and back facets of the diode laser is partially removed, an amorphous surface layer is formed on the front and back facets of the diode laser, and the front and back facets of the diode laser are passivated. L'invention concerne des procédés destinés à préparer des facettes avant et arrière d'un laser à diode qui consistent à réguler une atmosphère dans une première chambre, de sorte que la teneur en oxygène et la teneur en vapeur d'eau soient régulées dans des niveaux prédéfinis, et à cliver le laser à diode à partir d'une plaquette dans l'atmosphère régulée de la première chambre afin de former une couche d'oxyde natif possédant une épaisseur prédéfinie sur les facettes avant et arrière du laser à diode. Après clivage, le laser à diode est transporté d'une première chambre vers une second chambre dans une atmosphère régulée, la couche d'oxyde natif sur les facettes avant et arrière du laser à diode est partiellement éliminée, une couche de surface amorphe étant formée sur les facettes avant et arrière du laser à diode, et les facettes avant et arrière du laser à diode étant passivées.