CONDUCTING METAL OXIDE WITH ADDITIVE AS P-MOS DEVICE ELECTRODE

Methods for fabricating high work function p-MOS device (10) metal electrodes are provided. In one embodiment, a method is provided for producing a metal electrode (13) including the steps of: providing a high k dielectric stack (12) with an exposed surface; contacting the exposed surface of the hig...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LIANG, YONG, TRACY, CLARENCE J
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Methods for fabricating high work function p-MOS device (10) metal electrodes are provided. In one embodiment, a method is provided for producing a metal electrode (13) including the steps of: providing a high k dielectric stack (12) with an exposed surface; contacting the exposed surface of the high k dielectric stack with a vapor of a metal oxide wherein the metal oxide is selected from the group consisting of RuOx, IrOx, ReOx, MoOx, WOx, VOx, and PdOx; and contacting the exposed surface of the dielectric stack (12) with a vapor of an additive selected from the group consisting of SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, MgO, SrO, BaO, Y2O3, La2O3, and TiO2, whereby contacting the exposed surface of the dielectric stack (12) with the vapor of the metal oxide and the vapor of the additive forms an electrode (13) and wherein the additive is present at an amount between about 1 % to about 50 % by atomic weight percent in the electrode (13). L'invention concerne des procédés de fabrication d'électrodes métalliques de dispositif MOS à canal P (10) à fort travail d'extraction. Selon un mode de réalisation, un procédé de fabrication d'une électrode métallique (13) consiste à préparer un empilement diélectrique à k élevé (12) présentant une surface exposée, à mettre en contact la surface exposée de l'empilement diélectrique à k élevé avec une vapeur d'un oxyde de métal, cet oxyde de métal étant sélectionné dans le groupe constitué par RuOx, IrOx, ReOx, MoOx, WOx, VOx et PdOx, puis à mettre en contact la surface exposée de l'empilement diélectrique (12) avec une vapeur d'un additif sélectionné dans le groupe constitué par SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, MgO, SrO, BaO, Y2O3, La2O3 et TiO2, la mise en contact de la surface exposée de l'empilement diélectrique (12) avec la vapeur de l'oxyde de métal et la vapeur de l'additif formant une électrode (13) et l'additif étant présent en quantité comprise entre environ 1 % et environ 50 % en pourcentage de masse atomique dans l'électrode (13).