DIFFERENTIAL NULLING AVALANCHE (DNA) CLAMP CIRCUIT AND METHOD OF USE

A circuit for protecting an electronic device including a differential nulling avalanche clamp circuit (200, 300) and method of using the circuit in an electronic system (100) to limit radio frequency overdrive. The electronic system (100) includes a surge clamp (130) coupled to dissipate an electrical surge effect of a first frequency from a noise sensitive node (140) and a ring wave clamp (120) coupled to dissipate an electrical surge effect of a second frequency from the noise sensitive node (140). The ring wave clamp circuit (200, 300) includes a first bipolar junction transistor (210, 310), a second bipolar junction transistor (220, 320) coupled to the first bipolar junction transistor (210, 310), and a resistive circuit (230, 330, 340) coupled to the first and second bipolar junction transistors (210, 220, 310, 320). A method of using the electronic system (100) in a device to limit radio frequency overdrive includes the steps of driving an output node with the radio frequency signal subject to overdrive effects (410), clamping a first order overdrive effect on a first node using a first clamp circuit (420), and clamping a second order overdrive effect on the first node using the differential nulling avalanche clamp circuit (430). L'invention concerne un circuit destiné à protéger un dispositif électronique, comprenant un circuit de fixation de niveau d'avalanche par "nulling" (élimination des effets non linéaires) différentiel (200, 300), ainsi qu'un procédé d'utilisation du circuit dans un système électronique (100) pour limiter la surmodulation de fréquence radio. Ce système électronique (100) comprend un dispositif de fixation de niveau de surtension (130) couplé pour dissiper un effet de surtension électrique d'une première fréquence d'un noeud sensible au bruit (140) et un dispositif de fixation de niveau d'onde sinusoïdale fortement amortie (120) couplé pour dissiper un effet de surtension électrique d'une seconde fréquence du noeud sensible au bruit (140). Le circuit de fixation de niveau d'onde sinusoïdale fortement amortie (200, 300) comprend un premier transistor bipolaire à jonctions (210, 310), un second transistor bipolaire à jonctions (220, 320), couplé au premier transistor bipolaire à jonctions (210, 310), ainsi qu'un circuit résistif (230, 330, 340) couplé aux premier et second transistors bipolaires à jonctions (210, 220, 310, 320). Un procédé d'utilisation du système électronique (100) dans un dispositif pour limiter la surmodulat