INTEGRATION SCHEME FOR FULLY SILICIDED GATE

To form a semiconductor device, a silicon (e.g., polysilicon) gate layer is formed over a gate dielectric and a sacrificial layer (preferably titanium nitride) is formed over the silicon gate layer. The silicon gate layer and the sacrificial layer are patterned to form a gate structure. A spacer, such, as an oxide sidewall spacer and a nitride sidewall spacer, is formed adjacent the sidewall of the gate structure. The semiconductor body is then doped to form a source region and a drain region that are self-aligned to the spacers. The sacrificial layer can then be removed selectively with respect to the oxide sidewall spacer, the nitride sidewall spacer and the silicon gate. A metal layer (e.g., nickel) is formed over the source region, the drain region and the silicon gate and reacted with these regions to form a suicided source contact, a suicided drain contact and a suicided gate. L'objectif de l'invention est de former un dispositif à semi-conducteurs. A cet effet, une couche de grille au silicium (par exemple du polysilicium) est formée sur une diélectrique à grille et une couche sacrificielle (de préférence un nitrure de titane) est formé sur la couche de grille au silicium. Ladite couche de grille en silicium et la couche sacrificielle sont assemblées de manière à former une structure à grilles. Un espaceur, tel qu'un espaceur à parois latérales à couche oxyde et un espaceur à parois latérales à couche nitrure, est formé de manière à être adjacent à la paroi latérale de la structure à grilles. Le corps à semi-conducteurs est ensuite dopé pour former une région source et une région drain auto-alignées par rapport aux espaceurs. La couche sacrificielle peut ensuite être éliminée de manière sélective par rapport à l'espaceur de la paroi latérale à couche oxyde, l'espaceur de la paroi latérale nitrure et la grille en silicium. Une couche métallique (par exemple du nickel) est formé sur la région source, la région drain et la grille en silicium et elle est mise en réaction avec ces régions, de manière à former un contact source, un contact drain, et une grille à couches de siliciure.